MEI709使用金錫plat form焊錫貼PD chip 到submount上，鍍金層上焊錫流動不良
從現在的試驗來看，似乎和芯片背面、submont表面的粗糙度有關
哪位對共晶焊接熟悉的高人指點一下
1）如何定量地確認合適表面粗糙度達到最好的焊接質量
2）submont鍍金層下會有鎳層，它會有影響嗎？
是在做通孔垂直結構LED的焊接嗎...？看你的結構和敘述主要針對SnAu共晶...這樣共晶焊料的熔點就有了...當然你的爐溫一定比共晶焊料的熔點高...因為Au下面還有Ni...
利用共晶焊接技術，先將晶粒焊接于一散熱基板（soubmount）或熱沉（heat sink）上，然后把整件晶粒連散熱基板再焊接于封裝器件上，這樣就可增強器件散熱能力，令發光功率相對地增加。至于基板材料方面，硅（Silicon）、銅（Copper）及陶瓷（Ceramic）等都是一般常用的散熱基板物料。
共晶焊接技術最關鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用純錫（Sn）或金錫（Au-Sn）合金作接觸面鍍層，晶?？珊附佑阱冇薪鸹蜚y的基板上。當基板被加熱至適合的共晶溫度時，金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的改變提高溶點，令共晶層固化并將LED緊固的焊于熱沉或基板上。
選擇共晶溫度視乎晶粒、基板及器件材料耐熱程度及往后SMT回焊制程時的溫度要求?？紤]共晶固晶機臺時，除高位置精度外，另一重要條件就是有靈活而且穩定的溫度控制，加有氮氣或混合氣體裝置，有助于在共晶過程中作防氧化保護。當然和銀漿固晶一樣，要達至高精度的固晶，有賴于嚴謹的機械設計及高精度的馬達運動，才能令焊頭運動和焊力控制恰到好處之余，亦無損高產能及高良品率的要求。
進行共晶焊接工藝時亦可加入助焊劑，這技術最大的特點是無須額外附加焊力，故此不會因固晶焊力過大而令過多的共晶合金溢出，減低LED產生短路的機會。
